摘要
介绍了一种基于甲酸铜高温分解反应的纳米铜无压烧结工艺,旨在解决现有铜烧结技术中铜易氧化且需要辅助压力的问题。通过甲酸溶液对纳米铜颗粒(Cu NPs)进行预处理,生成致密的甲酸铜膜,经烧结后最终形成Cu-Cu接头。接头烧结质量试验表明,甲酸反应时间10 min、聚乙二醇(PEG)溶剂、0.048 mm砂纸打磨基材表面以及5 ℃/min的升温速率为最优烧结条件。在该条件下,实现了纳米铜无压烧结,制备的接头剪切强度可达16.18 MPa,电阻率低至570 μΩ/m。经过200 h高温老化实验,接头的剪切强度仍可达到9.38 MPa,验证了该烧结工艺的可靠性。文中所提出的工艺为实现第三代半导体芯片的可靠互联提供了新思路。
以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料可以满足电力电子器件高压、高频、耐高温等新要求,在智能电网、航空航天和新能源汽车等领域具有广阔的应用前
在改善纳米铜焊料烧结质量方面,国内外学者已经开展了部分研究。Kobayashi
上述研究主要通过高温高压环境或者对纳米铜颗粒进行修饰来提高纳米铜的烧结质量,但高压和高温操作需要特殊设备,成本较高,不适用于大规模生产和普及。制造核壳结构或者对纳米铜颗粒表面进行改性需要较多的反应步骤和材料,制造过程较为复杂,增加了生产成本,且表面活性剂的残留会对环境造成污染。
为解决上述问题,笔者提出一种基于甲酸铜高温分解反应的纳米铜无压烧结工艺。使用甲酸溶液对Cu NPs进行预处理,在Cu NPs表面生成致密的甲酸铜膜,保护内部的铜颗粒避免氧化,经烧结后最终形成Cu-Cu接头。在研究了甲酸反应时间、焊膏溶剂材料、基材表面粗糙度以及烧结升温速率等因素与接头质量的关系后,确定了最优的烧结工艺参数。通过剪切强度测试和高温老化实验验证了所提出工艺的可行性和可靠性。
将乙醇和甲酸按照体积分数比为97.5%:2.5%混合成均匀的溶液,随后将Cu NPs分为7组,设置浸入时间分别为0、5、10、15、20、25、30 min,浸入该混合溶液中,并进行搅拌,以确保Cu NPs与甲酸溶液充分接触。待上述步骤完毕,将甲酸处理过的Cu NPs使用乙醇离心清洗3次,去除杂质离子。最后将处理过的Cu NPs放入真空干燥箱中,在50 ℃下干燥30 min,得到纯净的甲酸预处理过的Cu NPs粉末(Cu-FA)。
将质量分数为75%的Cu-FA和25%的有机溶剂使用研钵充分研磨混合,制备得到纳米铜焊膏。焊膏的固含量为75%,既能够确保烧结质量,又便于使用钢网印
采用尺寸为20 mm×20 mm×1 mm和4 mm×4 mm×1 mm的铜基材,并使用0.165、0.048、0.025、0.018、0.013 mm的砂纸对其打磨,以探究铜基材表面粗糙度对于接头强度的影响。为保证铜基材表面的洁净,将铜基材依次放入体积分数为5%的盐酸、体积分数为10%的丙酮、乙醇超声清洗5 min,并在清洗结束后使用高压风枪对基材表面进行吹干。最后,在处理后的铜基材表面印刷4 mm×4 mm×0.15 mm的纳米铜焊膏。
将烧结样品放入管式炉内,对炉腔进行抽真空。真空度达到100 Pa以下后,通入体积分数比为5%:95%的氢气和氩气,作为烧结的保护性气体。之后分别采用3、5、7、9、11 ℃/min的加温速率,将样品加温至300 ℃并保温30 min。待样品烧结完成,自然冷却。烧结设备为真空回流焊炉(KD-V43,北京诚联恺达科技有限公司)。具体烧结过程如

图1 烧结流程示意图
Fig. 1 Schematic diagram of sintering process
采用热重差热同步热分析仪(TGA/DSC1/1600LF,METTLER TOLEDO)进行热重和同步热分析实验,以研究纳米铜焊膏烧结前后的质量变化。为分析烧结后的元素分布情况,采用X射线光电子能谱仪(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)(Thermo Fisher Scientific ESCALAB 250Xi)对接头进行扫描。另外,利用剪切力测试机(ETM 503B, Wance)在2 mm/min的剪切速率下测试不同实验条件下接头的剪切强度,并使用多功能数字式四探针测试仪(ST-2258C, Jingge Electronic)测定接头的电阻率。最后,采用扫描电子显微镜(scanning electron microscope, SEM)(Thermoscientific Helios)表征接头的横截面微观形貌。
通过

图2 有无甲酸预处理纳米铜颗粒的X射线衍射图
Fig. 2 XRD of Cu NPs and Cu-FA

图3 Cu-FA的热重分析
Fig. 3 TG-DTG curves of Cu-FA
剪切强度是评判烧结质量的重要指标。由
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图4 不同溶剂和甲酸预处理时间下的接头的剪切强度
Fig. 4 Shear strength of joints under different solvents and formic acid pretreatment time durations
甲酸铜分解反应产生的二氧化碳和氢气等气体会排出体系,相应的位置无法被填充,从而形成空洞,会对接头的剪切强度产生影响。在不同甲酸处理时间下,使用溶剂为PEG的接头的剪切强度分别为9.30、16.18、15.29、14.63、13.96、13.57 MPa,这些值均为同组中最高的。在最佳的甲酸处理时间下,使用EG、Tepineol和AMP 3种溶剂的接头剪切强度分别为12.13、13.27、15.00 MPa,这些值均在12 MPa以上。当甲酸处理时间从10 min增加到30 min,PEG组的接头剪切强度下降了2.61 MPa,下降幅度为16%。此外,使用EG作为溶剂的接头表现最差,其最大剪切强度低于其他3组,而下降幅度和比例高于其他3组,分别为4.03 MPa和33%。PEG是4种溶剂中甲酸铜的溶解度最高的,而且PEG的还原性高于其他3种溶剂,因此,在使用PEG作为溶剂时,烧结质量更高。
为了验证甲酸预处理对于纳米铜焊膏还原效果的影响,采用SEM对未经处理和经甲酸预处理(处理时间为10 min)的纳米铜焊膏进行了烧结形貌表征。在

图5 纳米铜焊膏烧结后的SEM图像
Fig. 5 SEM images of nano-copper solder paste after sintering
无压烧结在烧结过程中缺乏外部压力的辅助,导致烧结强度对基材表面粗糙度更加敏感。本研究中,采用5种粒度的砂纸,使用打磨机以1 000 r/min的转速对基材表面进行30 s的打磨处理。结果如

图6 不同粒度砂纸打磨下的接头剪切强度
Fig. 6 Shear strength of joints with different granularity sandpapers
之前的研究主要关注的是烧结温度对于接头强度的影响,但是在纳米铜的烧结过程中,有机溶剂的挥发速度与烧结质量密切相关。当升温速率过快,达到烧结温度时,焊膏内还残留大量有机溶剂。这些有机溶剂在铜扩散的过程中不断挥发,形成大量空洞,影响接头的强度和电导率。而升温速率过慢时,在达到烧结温度前,有机溶剂已经完全挥发,导致烧结过程中Cu NPs易发生氧化,烧结质量降低。通过

图7 不同升温速率下的接头剪切强度和电阻率
Fig. 7 Shear strength and resistivity of joints at different heating rates
在200 ℃条件下,接头在空气和真空中不同蓄热时间的剪切强度变化如

图8 接头在200 ℃环境和真空条件下蓄热后的剪切强度
Fig. 8 Shear strength of joints after thermal storage at 200 ℃ in natural environment and under vacuum condition
1)使用甲酸溶液预处理10 min,并采用PEG配置焊膏,可以有效去除Cu NPs表面的氧化物,最终无压烧结强度可以达到16.18 MPa。
2)经0.048 mm砂纸打磨过的基材更有利于无压烧结。当表面使用0.048 mm砂纸打磨时,基材表面的粗糙度与焊膏中起结构支撑作用的微米铜结合更紧密,从而提高了烧结质量。
3)烧结时的升温速率对烧结质量有重要影响,过快或过慢的升温速率都会导致接头的剪切强度下降,最佳的升温速率为4~5 ℃/min。
4)在200 ℃条件下,接头的剪切强度在空气中比在真空中下降得更慢。在经过200 h的高温老化试验后,在空气中的接头剪切强度仍有9.38 MPa。
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