用正电子湮没技术对YAG/Nd晶体不同位置进行了探测。实验结果表明,YAG/Nd晶体的不均匀性、缺陷的分布以及退火处理后晶体缺陷减少的情况与正电子寿命,多普勒增宽线形参数有对应关系。紫外光谱分析说明,YAG/Nd晶体中缺陷捕获态主要与色心有关。
刘尚进,周上祺,唐思进,郁伟中,曹必松,常伟,李存英.正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究[J].重庆大学学报,1985,8(2).
