本文定性地讨论了电阻炉内晶体的生长过程,结果发现,只要适当地控制熔体中的强迫对流F_j 和自然对流F_n,在一定的纵横比下,保持<120°,从而使得熔体中的散射粒子逃离薄边界层,减少了浮获它的几率。
倪宗祥. N_d~(3+):YAG晶体的散射改善[J].重庆大学学报,1986,9(4).
