P型金刚石薄膜压阻效应的理论研究
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

O484.42

基金项目:

国家自然科学基金!(69486001)


Study on the Piezoresistive Effect in P type Diamond Films
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    结合形变势理论和价带分裂模型,对硼掺杂P型金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论。结果表明,金刚石中轻、重空穴有效质量的巨大差异是导致其具有显著压阻效应的主要原因之一。并推导出应变诱导轻、重空穴带分裂时压阻因子的近似计算公式,计算结果与实验结果一致。

    Abstract:

    The piezoresisitive effect of p type diamond films is analyzed by deformation potential theory and valence bands split off model.It is found that the great difference of the efficient mass between the heavy and light hole of diamond is one of the main factors which are responsible for the piezoresistive effect in the p type diamond films.The gauge factor calculation formula is obtained according to the strain induced heavy and light hole band splitting off model,and the calculation results are in accordance with the experimental results.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

方亮 王万录. P型金刚石薄膜压阻效应的理论研究[J].重庆大学学报,2000,23(1):78-.

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码