负偏压增强离子表面扩散机制
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TQ163 TB43

基金项目:

国家自然科学基金资助项目 !(1 990 4 0 1 6)


Study on Mechanism of Diffusion Enhancement of Ions on Surface by Negative Bias
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    对利用热灯丝CVD沉积金刚石膜时负衬底偏压强金刚石的核化过程进行了分析。结合等离子体和碰撞等有关理论,从理论上初步地研究了负衬底偏压对增强活性离子沿衬底表面扩散的影响,给出了扩散九,扩散距离与负底偏压之间的关系。结果表明扩散系数和扩散距离都随着负衬底偏压的增大而增大。

    Abstract:

    In the paper, the enhancing process of diamond nucleation by negative substrate bias in hot filament CVD system was analyzed. Combining theory related to plasma and collision, the effects of bias on enhancing diffusion of active ions on substrate surface were primarily investigated theoretically, and the relative formulas of diffusion coefficient and diffusive distance with bias were given. The results showed that diffusion coefficient and diffusive distance increased with raising of negative substrate bias.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王必本 王万录.负偏压增强离子表面扩散机制[J].重庆大学学报,2000,23(4):49-52.

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码