混合杂质半导体费米能级公式及数值计算
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TN301

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Formulae of Fermi Energy in Poly-doped Semiconductor and Algorithm Computation
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    利用电中性条件,结合电子和空穴浓度计算式,推导出了当施主和受主同时存在时,费米能级的计算式,并且根据实际应用条件作了讨论,推导了各种条件下的费米能级计算公式。对于推导出来的隐式方程式,利用了数据计算方法进行计算。最后讨论了单一杂质半导体的费米能级公式。对所推导出来的材料,先进行计算机数值计算,再与实验结果进行比较,结果发现,计算值与实验值吻合的很好,从而说明了理论的正确性。在具体的实际应用中,根据自己的实验情况,结合推导条件,选择出适合自己实验条件的费米能级公式加以应用。

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王中长 刘天模 李家鸣.混合杂质半导体费米能级公式及数值计算[J].重庆大学学报,2003,26(11):52-55.

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  • 最后修改日期:2003-07-11
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