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首页 > 过刊浏览>2004年第27卷第12期 >98-101
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Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响
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[cstr]
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中图分类号:

O484.4 TM271

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国家自然科学基金 , 重庆市科委科研项目 , 重庆邮电学院校科研和教改项目


Influence of Nb Concentration on ρ and Magnetoresistance of Nanometer NiFe Films
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    以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.

    Abstract:

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引用本文

刘俊,郑瑞伦,陈希明,董会宁. Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响[J].重庆大学学报,2004,27(12):98-101.

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