摘要
磁流变弹性体(magnetorheological elastomer, MRE)执行器作为智能减振应用系统的核心元件,其结构的优化是决定执行器性能上限及系统控制成效的关键。针对目前MRE执行器优化方法及理论研究欠缺的问题,文中面向一款横向隔振的MRE执行器,基于其机械结构和有效磁路,以优越磁控性能、低功耗和快速响应时间为优化目标,提出了一种新的MRE执行器联合参数优化方法。首先,基于MATLAB和COMSOL的联合仿真,将遗传优化算法和电磁有限元分析方法进行有效结合,实现对MRE执行器的优化编程;其次,完成对器件的全局尺寸结构优化设计,使得器件具备优越磁控性能(526.21 mT)、低功耗(44.05 W)及快速响应(5.43 ms);最后,通过搭建测试系统对优化后装配的MRE执行器进行测试和评估,验证了文中优化方法的可行性和有效性。提出的联合优化方法不仅适用于MRE执行器结构,还可为多领域减/隔振应用的共性MRE器件优化设计提供理论参考。
磁流变弹性体(magnetorheological elastomer, MRE)由微米级铁磁性颗粒分散于高分子聚合物中复合而成,其流变学性能可通过外加磁场快速、可逆调
基于此,文中面向一款横向隔振的MRE执行器,提出一种基于遗传算法和有限元法联合的优化设计方法,以高磁控可调范围、低功耗及快速响应为目标,实现对MRE执行器的结构尺寸和性能全局优化设计。最后,对优化后MRE执行器的零件制造、整体装配和优化结果进行测试及验证。为磁流变执行器件的设计和优化提供理论参考。
文中待优化的对象为一款面向横向振动抑制的MRE执行器,其结构如

图1 横向MRE执行器
Fig. 1 Horizontal MRE actuator
待优化的MRE执行器属于中心轴对称结构,其磁路可简化如
, | (1) |
式中:为第段磁路的磁阻;为第段磁路中心线的长度;为绝对磁导率,且 H/m;为第段磁路材料的相对磁导率;为第段磁路的横截面积。

图2 MRE执行器的简化磁路图
Fig. 2 The simplified magnetic circuit of MRE actuator
由磁路的欧姆定律可知,MRE执行器闭合磁路中的磁通等于作用在该磁路上的磁动势除以磁路的磁阻,表示为
, | (2) |
式中:为磁路的磁动势;为MRE执行器中的电磁线圈匝数;为MRE执行器中的线圈电流。
此外,由磁路基尔霍夫第一定律可知,进入任一封闭面的磁通量恒等于穿出该封闭面的磁通
, | (3) |
式中,表示第段磁路的磁感应强度。
由式(1)~
。 | (4) |
需要特别说明的是,MRE执行器磁路中的部分材料的磁导率是与磁通密度有关的非线性参数,即该材料所在磁路段的磁导率为非常数,因此,磁阻也非常数。执行器的磁路计算
MRE执行器的磁控性能,是指在振动激励作用下,执行器具有一定的性能可控区间。可控区间越宽,执行器的力学性能(刚度、阻尼等)可调范围越广,表明具有优越的磁控性能。要求MRE执行器具有优越的磁控性能,主要是为了针对不同的振动激励和工况环境,触发器件磁场自适应调节机制,改变器件的性能参数,可以实时调节器件的固有频率,使得减振对象远离振动激励频带。
MRE执行器的磁控性能与MRE的磁致效应密切相关。叠层MRE处的磁场变化范围越大,MRE的磁致效应越高,则MRE执行器的磁控性能越好。因此,MRE执行器的优越磁控性能是基于叠层MRE处的高磁感应强度变化区间上的结果。针对一个确定的磁路,如
, | (5) |
式中:为线圈匝数;为线圈加载电流;为磁路总磁阻;为MRE的横截面积。
从
施加激励电流后,由于MRE执行器中线圈电阻的存在,器件势必会产生发热现象,出现功耗问题。高功耗会改变MRE材料的性能,给MRE减振系统控制带来困难,甚至是不期望的实验结
从
, | (6) |
式中:为线圈材料的电阻率;为线圈长度,由线圈骨架内径及外径决定;为线圈的横截面积,其中线圈线径选用0.8 mm。
线圈的功耗(发热功率)定义为,可以看出,无论增大线圈匝数,或增大线圈电流,皆会使器件线圈的功耗增大,造成线圈内部温度升高。线圈的电阻率也会随温度的升高而增大,造成线圈电阻的增大,导致线圈功耗进一步增大。考虑到后续控制中电流驱动器驱动电流的负载上限,文中MRE执行器设计的最大电流为3 A。第2个优化目标是通过优化MRE执行器线圈结构实现器件功耗的最小化,优化子目标函数可表示为。
在器件响应时间的优化设计中,仅考虑电流响应时间的优化。较长的电流响应时间会增加控制系统的控制延时,降低控制精度或效果。因此,降低MRE执行器的电流响应时间有利于提升减振系统的控制效果。
MRE执行器的电路也可以简化为1个等效电感与等效电阻的串联结构。当对MRE执行器的线圈施加1个瞬态阶跃电流激励后,由于器件中线圈电感对电流变化具有抑制作用,器件的电流不能及时响应,会有一定延时。设器件响应遵循单指数函数,其电流响应时间常数为,即电流上升或下降至变化值63.2%需要的时间。其中,等效电阻可由
, | (7) |
将
。 | (8) |
此外,由1.2节MRE执行器磁路分析可知器件的总磁阻。由于MRE的相对磁导率远小于执行器磁回路中的其他导磁零件。从
, | (9) |
则MRE执行器的等效电感为
, | (10) |
因此,MRE执行器的电流响应时间常数为
。 | (11) |
可以看出,MRE执行器的电流响应时间也与执行器的线圈及磁路结构紧密相关。因此,器件第3个优化目标是通过优化MRE执行器线圈及磁路结构实现电流响应时间的最小化,优化子目标函数可表示为。
MRE执行器待优化的二维尺寸结构、优化工具及算法如

图3 优化问题示意图
Fig. 3 Optimization problems
文中优化目标为MRE执行器的高磁控可调范围、低功耗及快速响应,优化问题为多目标优化问题,可描述为
(12) |
式中:是变量的约束集;、及分别对应磁控可调范围、功耗及响应时间的目标函数。
理论上,若有解使得所有子目标函数都达到最优,则该解是最优理想解。但实际上,一般子目标间是相互冲突的,例如,提升MRE执行器的磁控性能,会导致功耗的增大及响应时间的延长,实际应用中一般不存在最优理想解。为了突出优化目标中子目标函数的重要程度,针对该多目标问题,引入权重的概念,给每个子目标函数赋予权重系数,且满足,权重系数反映了相应的子目标函数在多目标优化问题中的重要程度。引入权重系数后,上述优化目标函数表示为
(13) |
由于磁控性能是MRE执行器的智能体现,分配给优越磁控性能子目标函数最高权重。另外,小的响应时间可以更有效地提高智能隔震系统的控制精度和效果,分配给快速响应时间子目标函数次高权重。综合考虑,分配给3个优化子目标函数:优越磁控性能、低功耗和快速响应时间的权重系数分别为,和。权重系数的引入不仅让MRE执行器的优化有了侧重点,同时,将MRE执行器的多目标优化问题转换成了单目标优化问题,将优化子目标函数代入
min : | (14) |
式中,min 表示优化目标函数极小化。另外,,,为一组优化目标的对比参照值,分别设置为 mT, W, ms。,,为一组二值常数,由
(15) |
遗传算法是目前广泛应用的智能优化算法,具有强大的全局搜索能力,可以高效、快速、精确地解决大多数的工程优化问题,文中采用遗传算法作为MRE执行器结构的优化算法。采用有限元法能更精确地获取执行器中MRE处的磁感应强度,提出采用遗传算法和有限元法的联合方法对MRE执行器进行优化,对应算法分别选用MATLAB和COMSOL软件实现。其中,由于COMSOL是从MATLAB的工具箱发展而来,与MATLAB有完整兼容的对接接口,通过LiveLink for MATLAB模块即可实现二者联合,联合后对MRE执行器的优化程序通过在MATLAB的脚本环境中编程实现。MRE执行器优化工具及算法如
MRE执行器的优化流程如

图4 优化流程图
Fig. 4 Optimization flow chart
MRE执行器结构的优化结果如

图5 优化结果
Fig. 5 Optimization results
参数 | 数值 | 参数 | 数值 |
---|---|---|---|
13 mm | 11 mm | ||
11 mm | 8 mm | ||
6 mm | 6 mm | ||
17 mm | 44.05 W | ||
8 mm | 526.21 mT | ||
3 mm | 5.43 ms |
对优化设计后的MRE执行器进行零件加工制造及装配,器件组装前后的实物如

图6 MRE执行器的零件及装配图
Fig. 6 The components and assembly drawing of MRE actuator
为了获取执行器中MRE区域的磁感应强度,搭建了磁场测试系统。从

图7 MRE执行器的测试和验证
Fig. 7 Test and evaluation of MRE actuator
1)文中对待优化的MRE执行器结构和磁路进行了介绍和分析,并建立了执行器的3个优化目标:优越磁控可调范围、低功耗及快速响应。
2)采用遗传算法和有限元法的联合优化方法,基于MATLAB和COMSOL的联合编程,建立了MRE执行器的优化模型。通过引入权重因子,将多目标函数转为简单的单目标函数,实现了对MRE执行器的参数和性能联合优化求解。优化后的MRE执行器磁场调节范围达526.21 mT,电流响应时间为5.43 ms,功耗为44.05 W。
3)实现了对优化后的MRE执行器进行零件制造和整体装配,并搭建了测试系统对支座优化结果进行评估及验证,结果表明,优化设计的MRE执行器能满足优越磁控性能、低功耗及快速响应的需求。
4)文中提出的联合优化方法对于所有的智能电磁元件的优化设计都具有一定的适用性,例如,为MRE吸振器、MRE缓冲器的优化设计等提供了理论参考。对基于其他磁流变材料(磁流变液(MRF)、磁流变胶(MRG)、磁流变塑性体(MR plastomer)等)的智能结构优化设计具有重要参考价值。
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