阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺，在电阻率为３～５Ω·ｃｍ的ｎ型（１００）硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列，锥尖密度达３９００个／ｍｍ２，起始发射电压为２～３Ｖ，反向击穿电压大于３０Ｖ，收集极在２０Ｖ在电压时，单尖发射电流达０．２μＡ，实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。