工业五氧化二钒制备V2O5半导体薄膜分析
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TB381

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Preparation of V2O5 Semiconductor Thin Films From Induststrial V2O5
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    用攀钢工业V2O5为原料采用无机溶胶-凝胶法制备V2O5溶胶和凝胶,并用此胶体不同衬底上制备出透明的半导体V2O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响,以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜(SEM)研究了薄膜的微观形貌,用XRD研究了薄膜的成份及其变化。结果表明:胶体粘度对涂膜有较大影响;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响;V2O5薄膜由针状V2O5颗粒组成,在衬度上呈均匀分布,且结构比较密集,其颗粒径向尺寸为0.5-1.0μm,长度方向为3.0-5.0μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大,同时新生成了一些钒化合物。

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杨绍利 陈厚生 等.工业五氧化二钒制备V2O5半导体薄膜分析[J].重庆大学学报,2002,25(5):97-100.

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