O484.4 TM271
国家自然科学基金 , 重庆市科委科研项目 , 重庆邮电学院校科研和教改项目
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.
刘俊,郑瑞伦,陈希明,董会宁. Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响[J].重庆大学学报,2004,27(12):98-101.