磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO2气敏特性分析
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重庆市自然科学基金资助项目(CSTC2007BB4137);重庆大学研究生创新基金资助项目(200904A1B0010314; 200801A1B0060265);重庆大学“211工程”三期创新人才培养计划建设项目(S09109)


Study on NO2 gas sensing characteristics of Indoped ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering
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    摘要:

    利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273 ℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273 ℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高

    Abstract:

    Indoped ZnO thin films were prepared on glass substrate by RF magnetron sputtering. The result of XRD and AFM shows that the films are polycrystalline with high caxis orientation. The study of gas sensing reveals that the films are sensitive to NO2 and the best sensibility occurs at 273 ℃; the sensibility is concerned with the concentration of NO2 and the film thickness. The ZnO∶In films are more sensitive to the NO2 gas with higher concentration of NO2 and thinner films have a better sensitivity. Exposed to 2×10-5 NO2 at 273 ℃, the 90nm thick film has a sensibility of 16, indicating that ZnO∶In films can be used to measure NO2 with a low concentration.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

方亮,彭丽萍,杨小飞,黄秋柳,周科,吴芳,刘高斌,马勇.磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO2气敏特性分析[J].重庆大学学报,2009,32(9):1002-1005.

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  • 收稿日期:2009-04-15
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